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日本已决定在7月23日对23项半导体设备实施出口管制计划，涉及光刻机、刻蚀机、薄膜沉积等多种半导体设备产品。如果日本决心要实施规则的话，日企也无法置身事外，必将在销售市场受到损失。
在规则实施之前，又传来一个坏消息，日本突破了关键芯片蚀刻技术，可用于制造 400 层以上堆叠的 3D NAND 闪存芯片，但中国用不了。
可别小觑日本的芯片技术，虽然日本在世界半导体领域没有顶级的芯片制造巨头，但是论产业综合实力，日本是可以排名前列的。否则美国也不会极力拉拢日本加入限制阵营，与日本成为盟友。
在日本公布的23项半导体设备限制计划中，涉及到芯片制造大部分的产品设施，如果到时候日本真的无法供货，能不能组建完整的芯片生产线恐怕都不好说。
日本半导体实力还在不断增强，又取得了一项技术突破，事关存储芯片领域。根据日本东京电子公布的消息，其开发出了一项通孔蚀刻技术，可以用于制造400 层以上堆叠的 3D NAND 闪存芯片。
这种技术的应用可以提高更高容量的3D NAND闪存，也可以减少84%的全球气候变暖风险。
目前全球NAND闪存制造商的主流层数是在200层以上，中国的长江存储可以做到232层的水准，韩国的三星电子，SK海力士也有超200层的NAND制造技术。
让人没想到的是，日本取得一项通孔蚀刻技术后，就能将层数翻倍，上升到400层以上。这究竟是怎样的技术呢？
首先要知道刻蚀技术在芯片制造过程中的应用，一般来说，蚀刻技术是一种微电子加工技术，又称为湿法蚀刻技术。它是利用化学液体来腐蚀或溶解掉芯片表面的部分材料，从而形成芯片上的电路、器件或结构。
这种加工技术是制造集成电路和光刻掩膜等微米级或纳米级元件的重要技术之一。随着微电子工艺的不断发展，蚀刻技术也在不断更新换代。目前已经出现了离子束蚀刻、反应性离子蚀刻、电子束蚀刻等新型蚀刻技术。
而日本此次突破的是通孔蚀刻技术，利用这项技术可在33分钟内完成10um深度的高纵横比蚀刻。
站在日本的角度，该技术的突破能有效地解决当前制造 3D NAND 闪存芯片时所面临的制造难题，包括通孔间隔小、通孔深度大等问题，大幅提高闪存存储器的存储密度和性能。
这对于电子产品的发展和应用具有重要意义，更高的存储密度和性能可以带来更好的使用体验和更广泛的应用场景。
尽管影响深远，但还不能高兴得太早，因为中国用不了。在日本限制的23项半导体设备规则中，东京电子也在其中，该公司的多款半导体设备将无法自由出货。旧款设备产品尚且如此，更别说突破更先进的通孔蚀刻技术。
不只是技术本身，也许使用该技术制造出来的产品，能不能顺利出货到中国也是个问题。
所以国内没必要为别人的突破感到高兴，应该认清差距，制定自己的发展目标，追赶超越才是正道。所幸中国的NAND闪存制造商长江存储也在持续努力，这家公司的市场份额持续提高，已经在中国市场占据一席之地。
长江存储仅成立于2016年，拥有世界一流的研发团队和技术实力。随着长江存储NAND层级数的不断增加，产品竞争力会越来越强。即便东京电子突破了400层以上的NAND通孔蚀刻技术，可是要想实现大规模商用也不是件容易的事。
当然，要想拉近与国外巨头的差距，国产厂商还有很多需要努力的地方，包括加强产业链协同发展，形成完整的产业链，从而提高整个产业的竞争力。加强品牌建设，提高产品质量和服务水平，同时积极开拓国际市场。
或者大力投资研发资金，并吸引更多的人才加入到芯片领域的研究和开发中。中国有庞大的芯片消费市场优势，造出来的芯片只要能满足消费市场需求，基本不愁商业机会。
国内可以给长江存储提供广阔的市场空间，在存储芯片产业持续变局的情况下，若长江存储能抓住芯片行业发展的风口趋势，相信会有很好的未来。
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